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PL1N60T89 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 9:01:09 查看 閱讀�21

PL1N60T89是一種高壓、高頻率的N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。它適用于各種開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用領域。該器件具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提高整體效率�
  這種MOSFET以其�(wěn)健的設計和優(yōu)異的性能而聞�,非常適合于需要高可靠性和高效能的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  導通電阻:7.5Ω
  柵極電荷�15nC
  開關(guān)時間:ton=55ns, toff=35ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

PL1N60T89具備出色的電氣特性和可靠性,主要特點包括�
  1. 高耐壓能力�600V�,能夠在惡劣條件下穩(wěn)定運��
  2. 較低的導通電阻(7.5Ω�,可顯著降低傳導損��
  3. 快速的開關(guān)速度,有助于提高工作效率并減少電磁干��
  4. 具備強大的雪崩能量承受能�,增強了系統(tǒng)在異常情況下的保護性能�
  5. 小巧緊湊的TO-220封裝設計,便于安裝與散熱管理�
  6. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適應多種環(huán)境需��

應用

PL1N60T89廣泛應用于以下領域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于升壓或降壓操作的核心組��
  3. 各類電機�(qū)動電�,如步進電機和直流無刷電機控制�
  4. 逆變器及不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
  5. 能量回收裝置及工�(yè)自動化設備中的功率管理模塊�

替代型號

IRF650N, STP60NE06, FDP60N06L

pl1n60t89推薦供應� 更多>

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