PL1N60T89是一種高壓、高頻率的N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。它適用于各種開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用領域。該器件具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提高整體效率�
這種MOSFET以其�(wěn)健的設計和優(yōu)異的性能而聞�,非常適合于需要高可靠性和高效能的應用場景�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4.5A
導通電阻:7.5Ω
柵極電荷�15nC
開關(guān)時間:ton=55ns, toff=35ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
PL1N60T89具備出色的電氣特性和可靠性,主要特點包括�
1. 高耐壓能力�600V�,能夠在惡劣條件下穩(wěn)定運��
2. 較低的導通電阻(7.5Ω�,可顯著降低傳導損��
3. 快速的開關(guān)速度,有助于提高工作效率并減少電磁干��
4. 具備強大的雪崩能量承受能�,增強了系統(tǒng)在異常情況下的保護性能�
5. 小巧緊湊的TO-220封裝設計,便于安裝與散熱管理�
6. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適應多種環(huán)境需��
PL1N60T89廣泛應用于以下領域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于升壓或降壓操作的核心組��
3. 各類電機�(qū)動電�,如步進電機和直流無刷電機控制�
4. 逆變器及不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
5. 能量回收裝置及工�(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
IRF650N, STP60NE06, FDP60N06L