PL20N03是一種N溝道增強型功率MOSFET,廣泛應用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用TO-252封裝形式,具有低導通電阻和較高的電流處理能力,能夠滿足多種電子�(shè)備的需��
PL20N03的主要特點是其出色的電氣性能和可靠�,使其能夠在高頻開關(guān)應用中保持高效運�。同�,其小尺寸的表面貼裝封裝非常適合空間受限的設(shè)計�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�8.6A
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型值)�0.14Ω
總功耗:1.7W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
PL20N03具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應用�
3. 高雪崩擊穿能�,增強了器件在異常情況下的耐受能力�
4. 靜電放電(ESD)保護設(shè)計,提高了產(chǎn)品可靠��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛焊接兼容�
6. 表面貼裝技�(shù)(SMD)封�,易于自動化生產(chǎn)并節(jié)省PCB空間�
PL20N03適用于以下應用場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的高端或低端開關(guān)�
3. 負載切換和保護電��
4. 小型電機�(qū)動和控制�
5. 電池管理系統(tǒng)中的功率路徑管理�
6. 各類消費類電子產(chǎn)品及工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
IRLML2202
FDS6680
STP20NF03L