最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開關(guān)速度：100ns
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

PL30P02DD3 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，能夠顯著減少導(dǎo)通損耗，提高整體效率。此外，其高開關(guān)速度使其非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，在極端溫度條件下仍能保持良好的性能。
　　同時(shí)，它具有較低的柵極電荷，有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，并且優(yōu)化了dv/dt性能以防止誤觸發(fā)。
　　另外，這款MOSFET的封裝設(shè)計(jì)考慮到了散熱需求，進(jìn)一步增強(qiáng)了其在高功率環(huán)境中的表現(xiàn)。

PL30P02DD3 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的開關(guān)電源適配器、筆記本電腦充電器、電視電源模塊等。
　　在工業(yè)領(lǐng)域，該器件可用于可再生能源系統(tǒng)（如太陽(yáng)能逆變器）、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制以及電信設(shè)備的電源管理。
　　汽車電子方面，PL30P02DD3 可用于電動(dòng)車輛的動(dòng)力總成系統(tǒng)、車載充電器及LED照明驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

IRF3205
　　STP30NF06
　　FDP18N06L