PL50N06AGD5是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用TO-277A封裝,具有低�(dǎo)通電�、高效率和良好的熱性能等特�。它適合在高頻開�(guān)�(yīng)用中使用,能夠顯著降低功率損��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�34nC
總電容:210pF
功耗:150W
工作溫度范圍�-55� to 150�
PL50N06AGD5具備以下主要特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在大電流應(yīng)用中減少功率損耗�
2. 高雪崩擊穿能�,增強了器件在異常情況下的耐用��
3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損�,適用于高頻電路�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較高的環(huán)境溫度下可靠運行�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)��
這款MOSFET可應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控��
4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
IRF540N
FDP5020
STP50NF06L