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PL50N06AGD5 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 8:40:14 查看 閱讀�31

PL50N06AGD5是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用TO-277A封裝,具有低�(dǎo)通電�、高效率和良好的熱性能等特�。它適合在高頻開�(guān)�(yīng)用中使用,能夠顯著降低功率損��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�34nC
  總電容:210pF
  功耗:150W
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

PL50N06AGD5具備以下主要特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在大電流應(yīng)用中減少功率損耗�
  2. 高雪崩擊穿能�,增強了器件在異常情況下的耐用��
  3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損�,適用于高頻電路�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較高的環(huán)境溫度下可靠運行�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)��

�(yīng)�

這款MOSFET可應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率控��
  4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��

替代型號

IRF540N
  FDP5020
  STP50NF06L

pl50n06agd5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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