時間�2025/5/9 13:16:02
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PL50N10AGD5是一款基于MOSFET技術的功率場效應晶體管，屬于N溝道增強型器件。該芯片廣泛應用于開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動等電力電子領域，其設計注重高效能和低導通電�。PL50N10AGD5具有良好的熱�(wěn)定性和快速開關特�，能夠滿足多種工�(yè)和消費類應用需��
這款元器件采用TO-220封裝形式，具備較高的電流承載能力和散熱性能，適合大功率場景下的使用�
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻：2.6mΩ（典型值）
柵極電荷�70nC（最大值）
總功耗：150W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝類型：TO-220
PL50N10AGD5的主要特性包括：
1. 低導通電�，有助于減少傳導損耗并提升效率�
2. 快速開關能�，支持高頻操作，適用于開關電源和其他高頻應用場景�
3. 高電流處理能�，能夠承受高�50A的連續(xù)漏極電流�
4. 強大的散熱性能，通過TO-220封裝提供高效的熱管理�
5. 寬泛的工作溫度范�，使其在極端�(huán)境下仍能保持可靠��
6. �(wěn)定的電氣性能，確保在不同負載條件下的可靠運行�
這些特點使PL50N10AGD5成為高功�、高效率應用的理想選��
PL50N10AGD5適用于以下應用領域：
1. 開關電源(SMPS)和AC-DC適配器設��
2. DC-DC轉換器中的同步整流和主開關元件�
3. 電機驅動和控制電��
4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
5. 電池充電器和逆變器系�(tǒng)�
6. 汽車電子和電動車動力系統(tǒng)�
由于其高性能和穩(wěn)定�，這款器件在上述領域中表現(xiàn)出色，能夠有效提高系�(tǒng)的整體效��
IRFZ44N
STP50NF10L
FDP50N10E
