PL60P06是一種N溝道增強型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等領(lǐng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
這款功率MOSFET主要通過其柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流�。在合適的驅(qū)動條件下,它能夠?qū)崿F(xiàn)高效的開�(guān)操作,并且具備較強的耐壓能力以適�(yīng)多種�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�6.8A
�(dǎo)通電阻:0.17Ω
功耗:49W
工作溫度范圍�-55� to +150�
PL60P06具有以下顯著特性:
1. 高雪崩能量能力,可有效應(yīng)對電路中的瞬�(tài)電壓沖擊�
2. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),從而降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率�
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
4. 緊湊的TO-252封裝�(shè)�,有助于節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛工藝制造�
PL60P06適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�(zhuǎn)換器�
2. 直流/直流(DC-DC)變換器�
3. 各種電機�(qū)動應(yīng)��
4. 電池保護電路�
5. 負載切換和固�(tài)繼電器等場合�
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500