PL8N10S8 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,屬于增強型場效�(yīng)晶體� (eGaN FET)。該器件具有高開�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能,適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器以� PFC(功率因�(shù)校正)電��
與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,PL8N10S8 提供了更低的寄生電容和更高的效率,在高頻操作中表�(xiàn)出顯著優(yōu)��
類型:GaN 功率晶體�
耐壓�100V
�(dǎo)通電阻:7mΩ(典型�,@Vgs=6V�
連續(xù)漏極電流�3>柵極�(qū)動電壓:4.5V ~ 6V
開關(guān)頻率:高達幾 MHz
封裝形式:TO-263 � DFN8
PL8N10S8 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開�(guān)性能,支持高頻工�,減少磁性元件體積并提高功率密度�
3. �(nèi)置反向恢�(fù)電荷接近零的體二極管,有助于降低開關(guān)節(jié)點振鈴和開關(guān)損��
4. 柵極兼容性設(shè)計,可直接與傳統(tǒng)� MOSFET �(qū)動器配合使用�
5. 熱阻較低,具備良好的散熱能力�
6. 可靠性經(jīng)過驗�,適合工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的高壓高頻場��
PL8N10S8 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 圖形卡供電模� (VRM) 和服�(wù)器電��
3. 消費類快充適配器和無線充電設(shè)��
4. 工業(yè)電機�(qū)動及高效能源管理系統(tǒng)�
5. 光伏逆變器和不間斷電� (UPS) �(shè)��
6. 電動汽車中的車載充電� (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器組件�
PSMN022-100YS, TPH2R100PDF, GS66508T