PMDT670UPE是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-252封裝形式。該器件適用于各種開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。PMDT670UPE能夠在高頻工作條件下保持較高的效�,并且具備良好的熱性能�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�43A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
總功耗:115W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-252
PMDT670UPE的主要特�(diǎn)是其卓越的電氣性能和可靠性�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用,從而減少磁性元件體積和成本�
3. 具備較強(qiáng)的雪崩能�,增�(qiáng)了在異常條件下的魯棒性�
4. 封裝�(jié)�(gòu)緊湊,散熱性能良好,非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足全球環(huán)保法�(guī)要求�
PMDT670UPE廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器或主開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中作為逆變橋臂的功率器件�
4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路,如電池管理系統(tǒng)(BMS��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
PMDT670UPH, PMDT680UPE