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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PMEG100V080ELPD

PMEG100V080ELPD 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:32:02 查看 閱讀�24

PMEG100V080ELPD是一款高性能的MOSFET功率晶體�,由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),旨在提供低�(dǎo)通電阻和高效率,適用于各種開(kāi)�(guān)�(yīng)�。PMEG100V080ELPD屬于邏輯電平�(qū)�(dòng)系列,具有較低的柵極閾值電�,便于與邏輯電路直接連接�
  這款MOSFET采用TO-220封裝形式,具備良好的散熱性能和較高的電流處理能力。其主要特點(diǎn)是能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下保持低損耗,并支持較寬的工作溫度范圍�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�80A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.6mΩ
  柵極閾值電壓:2V~4V
  總功耗:150W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�
  封裝形式:TO-220

特�

PMEG100V080ELPD具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低�(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),柵極閾值電壓低,簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)�
  3. 高額定電流和電壓,適用于多種大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,適合在極端溫度環(huán)境下使用�
  5. 短路耐受能力�(qiáng),提高了系統(tǒng)的可靠性和安全��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

PMEG100V080ELPD廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元件�
  2. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如啟動(dòng)馬達(dá)控制、電池管理系�(tǒng)��
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
  5. �(guò)流保�(hù)和負(fù)載切換電路�
  6. 太陽(yáng)能微逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP80NF10
  IXTP80N10T2

pmeg100v080elpd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)