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PMEG100V100ELPD 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 13:31:41 查看 閱讀�21

PMEG100V100ELPD 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� STMicroelectronics 公司的先�(jìn)工藝制�。該器件專為高效率、低損耗的�(yīng)用場景設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。其最大耐壓� 100V,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)用中的電源管理及電機(jī)�(qū)動領(lǐng)��
  該芯片主要面向高效能要求的電路設(shè)�(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�36A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�48nC(典型值)
  總電容(Ciss):2940pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

PMEG100V100ELPD 的主要特�(diǎn)是具備極低的�(dǎo)通電�,這使得它非常適合需要高效率和低功耗的場合。此�,其快速開�(guān)特性和�(wěn)健的電氣性能使其成為許多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
  1. 超低�(dǎo)通電阻確保在高電流應(yīng)用中減少�(fā)熱和能量損��
  2. 高速開�(guān)能力有助于降低開�(guān)損耗并提升頻率靈活��
  3. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定性支持在極端溫度條件下的可靠�(yùn)��
  4. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱性能,可滿足高功率密度需��
  總體而言,這款 MOSFET 在性能、可靠性和易用性之間實(shí)�(xiàn)了良好的平衡�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(lǐng)�,例如開�(guān)電源 (SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器、逆變�、不間斷電源 (UPS) 和電池管理系�(tǒng) (BMS) �。由于其出色的電氣性能和散熱能�,PMEG100V100ELPD 特別適合于以下具體應(yīng)用:
  - 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級管理�
  - 電動車和混合動力汽車中的牽引逆變��
  - 太陽能微逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  - 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器以實(shí)�(xiàn)�(fù)載點(diǎn)�(diào)節(jié)�
  其強(qiáng)大的電流承載能力和低 Rds(on) 值還使其成為大功� LED �(qū)動器的理想解決方��

替代型號

PMEG100V100ELH, IRF1405Z, FDP15N10E

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