時間：2025/5/26 11:32:02
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PMN23UN是英飛凌（Infineon）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管。該器件采用了先進(jìn)的TRENCHSTOP技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于多種開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等應(yīng)用領(lǐng)域。PMN23UN采用微型化的DFN5x6-8L封裝形式，有助于減少PCB板空間占用，并提高整體設(shè)計的緊湊性。
這款MOSFET在消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及通信系統(tǒng)中均有廣泛應(yīng)用，憑借其卓越的性能表現(xiàn)和可靠性，成為許多工程師的理想選擇。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：24A
導(dǎo)通電阻（典型值）：1.2mΩ
柵極電荷：27nC
開關(guān)速度：快速
工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
PMN23UN具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，能夠在高電流條件下保持較低功耗。
2. 小尺寸DFN5x6-8L封裝，節(jié)省PCB空間并支持表面貼裝工藝。
3. 高雪崩能力，提升了器件在異常條件下的耐用性。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色設(shè)計需求。
5. 支持高頻開關(guān)操作，適用于高效能轉(zhuǎn)換電路。
6. 良好的熱性能，有助于提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。
7. 內(nèi)置反向二極管，簡化了電路設(shè)計并增強(qiáng)了功能。
PMN23UN廣泛應(yīng)用于各種需要高效能功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制的場景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負(fù)載切換和保護(hù)。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦的充電器模塊。
5. LED照明驅(qū)動電路。
6. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
PMN20EN, PMN25UN
