PMV19XNEA 是一款由恩智浦(NXP)生�(chǎn)的N溝道邏輯增強(qiáng)型MOSFET。該器件適用于低電壓�(yīng)用場�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,廣泛用于負(fù)載開�(guān)、電源管理以及電池供電設(shè)備等場景�
這款MOSFET采用了SO-8封裝形式,具備出色的熱性能和電氣特性,使其非常適合空間受限的設(shè)計環(huán)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.5A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極-源極電壓:�10V
功耗:650mW
工作溫度范圍�-55� to 150�
PMV19XNEA 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,適應(yīng)�(xiàn)代電子設(shè)備對高效率和小型化的需��
3. 高可靠性設(shè)計,能在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運��
4. 小型化SO-8封裝,節(jié)省PCB布局空間�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場使用�
PMV19XNEA 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
2. 便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊�
3. 電池保護(hù)電路,例如鋰電池管理系統(tǒng)�
4. 工業(yè)控制和消費類電子�(chǎn)品中的信號切換�
5. LED�(qū)動器和其他需要高效開�(guān)的應(yīng)用場��
PMV19UNEA, PSMN0R9-30YL