PMV27UPEA是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體,具備低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,廣泛應用于功率管理、電機驅(qū)動、負載切換等領域。其小型化的封裝設計使其非常適合空間受限的應用場��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�2.9A
導通電阻:65mΩ
總功耗:840mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:SOT-23
PMV27UPEA具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低功率損耗�
2. 高開�(guān)速度,適合高頻應用環(huán)��
3. 小尺寸SOT-23封裝,節(jié)省PCB布局空間�
4. 較寬的工作溫度范�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 靜電防護性能�,提高系�(tǒng)的可靠��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保�
PMV27UPEA適用于多種電子設備和系統(tǒng),包括但不限于以下領域:
1. 移動設備中的負載開關(guān)和電池管��
2. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
3. 便攜式設備中的電機驅(qū)動控制�
4. 工業(yè)自動化設備中的信號切��
5. LED�(qū)動器和背光控制電��
6. �(shù)�(jù)通信接口保護與控制�
PMV28UNA, PMV26ENH, BSS138