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PN2369A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/4/24 11:10:34 查看 閱讀:639

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:晶體管(BJT) - 單路

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:晶體管(BJT) - 單路

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大):200mA

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):15V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA, 100mA

電流 - 集電極截止(最大):-

在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):40 @ 10mA, 1V

功率 - 最大:350mW

頻率 - 轉(zhuǎn)換:-

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)準(zhǔn)主體),TO-226

包裝:散裝

資料

廠商
Central Semiconductor

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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pn2369a產(chǎn)品

pn2369a參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)15V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)40 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大350mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 包裝散裝