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PN3563 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/24 11:38:57 查看 閱讀：322

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：RF 晶體管 (BJT)
晶體管類型：NPN
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V
頻率 - 轉(zhuǎn)換：1.5GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）：-
增益：14dB ~ 26dB
功率 - 最大：350mW
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)：20 @ 8mA, 10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：50mA
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-92-3（標(biāo)準(zhǔn)主體），TO-226
包裝：散裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

資料

廠商
Central Semiconductor

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pn3563參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭RF 晶體管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）15V
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換1.5GHz
  • 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）-
  • 增益14dB ~ 26dB
  • 功率 - 最大350mW
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)20 @ 8mA，10V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）50mA
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 包裝散裝