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PN3563 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/4/24 11:38:57 查看 閱讀:322

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:RF 晶體管 (BJT)
晶體管類型:NPN
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):15V
頻率 - 轉(zhuǎn)換:1.5GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):-
增益:14dB ~ 26dB
功率 - 最大:350mW
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):20 @ 8mA, 10V
電流 - 集電極 (Ic)(最大):50mA
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)準(zhǔn)主體),TO-226
包裝:散裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

資料

廠商
Central Semiconductor

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pn3563參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭RF 晶體管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)15V
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換1.5GHz
  • 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率)-
  • 增益14dB ~ 26dB
  • 功率 - 最大350mW
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)20 @ 8mA,10V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)50mA
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 包裝散裝