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PN4119 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/11/16 17:59:24 查看 閱讀：144

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)：200μA @ 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大：-
FET 型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：40V
電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id：2V @ 1nA
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：3pF @ 10V
電阻 - RDS（開）：-
安裝類型：通孔
包裝：散裝
封裝/外殼：TO-92-3（標(biāo)準(zhǔn)主體），TO-226
功率 - 最大：350mW

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pn4119參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 10V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)-
  • 漏極電流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)40V
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id2V @ 1nA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3pF @ 10V
  • 電阻 - RDS（開）-
  • 安裝類型通孔
  • 包裝散裝
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 功率 - 最大350mW