類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):200μA @ 10V
漏極至源極電壓(Vdss):-
漏極電流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):40V
電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:2V @ 1nA
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :3pF @ 10V
電阻 - RDS(開):-
安裝類型:通孔
包裝:散裝
封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)準(zhǔn)主體),TO-226
功率 - 最大:350mW