PN650EV1 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的增強(qiáng)型功率晶體管,具有高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。這種器件適合高頻、高效的應(yīng)用場(chǎng)景,例如電源適配器、充電器以及DC-DC轉(zhuǎn)換器。
3010BC726L 是一款雙向TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管陣列,主要用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和其他瞬態(tài)電壓事件的影響。
型號(hào):PN650EV1
類型:GaN FET
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:8A
導(dǎo)通電阻:120mΩ
型號(hào):3010BC726L
類型:TVS二極管陣列
工作電壓:±26V
峰值脈沖電流:10A
箝位電壓:±39.1V
PN650EV1 提供了卓越的效率和功率密度,其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)能力使其非常適合高頻應(yīng)用。該器件采用DFN8*8封裝,有助于減少寄生效應(yīng)并提高散熱性能。
3010BC726L 具備快速響應(yīng)時(shí)間和低箝位電壓,能夠有效地保護(hù)敏感電路免受瞬態(tài)過壓損害。其小型化的SOT-23封裝便于在空間受限的設(shè)計(jì)中使用。
PN650EV1 廣泛應(yīng)用于快充適配器、無線充電器、服務(wù)器電源、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
3010BC726L 常用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)控制設(shè)備和通信接口的ESD保護(hù),例如USB端口、HDMI接口和RS-232通信線路。
PN650EV1 替代型號(hào):EPC2020
3010BC726L 替代型號(hào):PESD5V0H1BA