PN650EV1 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管,具有高開關(guān)速度和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。這種器件適合高頻、高效的�(yīng)用場(chǎng)�,例如電源適配器、充電器以及DC-DC�(zhuǎn)換器�
3010BC726L 是一款雙向TVS(瞬�(tài)電壓抑制)二極管陣列,主要用于保�(hù)電子�(shè)備免受靜電放�(ESD)、電氣快速瞬�(EFT)和其他瞬�(tài)電壓事件的影響�
型號(hào):PN650EV1
類型:GaN FET
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
型號(hào)�3010BC726L
類型:TVS二極管陣�
工作電壓:�26V
峰值脈沖電流:10A
箝位電壓:�39.1V
PN650EV1 提供了卓越的效率和功率密�,其低導(dǎo)通電阻和高速開�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)�。該器件采用DFN8*8封裝,有助于減少寄生效應(yīng)并提高散熱性能�
3010BC726L 具備快速響�(yīng)�(shí)間和低箝位電壓,能夠有效地保�(hù)敏感電路免受瞬態(tài)過壓損害。其小型化的SOT-23封裝便于在空間受限的�(shè)�(jì)中使��
PN650EV1 廣泛�(yīng)用于快充適配器、無線充電器、服�(wù)器電�、光伏逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
3010BC726L 常用于消�(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制�(shè)備和通信接口的ESD保護(hù),例如USB端口、HDMI接口和RS-232通信線路�
PN650EV1 替代型號(hào):EPC2020
3010BC726L 替代型號(hào):PESD5V0H1BA