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PN6780HSEC-R1 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 9:54:45 查看 閱讀�20

PN6780HSEC-R1是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先進的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)�。該器件主要�(yīng)用于高效�、高頻率開關(guān)電源以及電機�(qū)動等場景,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。其封裝形式為HSEC-R1,能夠提供良好的散熱性能和電氣連接能力,適合在緊湊型設(shè)計中使用�

參數(shù)

型號:PN6780HSEC-R1
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵極驅(qū)動電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ (典型�,在Vgs=10V�)
  總功�(Ptot)�190W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝:HSEC-R1

特�

PN6780HSEC-R1具備卓越的電氣特性和可靠�,適用于要求苛刻的應(yīng)用環(huán)�。以下是其主要特點:
  1. 高擊穿電壓:650V的最大漏源電壓確保了該器件在高壓�(yīng)用中的穩(wěn)定��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在柵極驅(qū)動電壓為10V時,其導(dǎo)通電阻僅�150mΩ,從而降低了�(dǎo)通損耗并提高了整體效��
  3. 快速開�(guān)速度:得益于�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),PN6780HSEC-R1可以實現(xiàn)快速的開關(guān)動作,減少了開關(guān)損��
  4. 良好的熱性能:采用HSEC-R1封裝形式,提升了器件的散熱能�,使其能夠在高溫條件下穩(wěn)定運行�
  5. 強大的電流承載能力:支持高達30A的漏極電�,滿足大功率�(yīng)用場景的需��
  6. 寬泛的工作溫度范圍:�-55℃到+175℃的工作溫度區(qū)間,確保了器件在極端條件下的可靠表現(xiàn)�

�(yīng)�

PN6780HSEC-R1廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC�(zhuǎn)換器、DC-DC變換器等,用于提升電源轉(zhuǎn)換效��
  2. 電機�(qū)動:為無刷直流電�(BLDC)和其他類型的電機提供高效的驅(qū)動控��
  3. 工業(yè)自動化:在工�(yè)�(shè)備中用作功率開關(guān)或負載控制元��
  4. 新能源領(lǐng)域:如太陽能逆變�、風(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)等,用于能量管理和轉(zhuǎn)��
  5. 汽車電子:適用于車載充電�、電動助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPAS)等汽車相�(guān)�(yīng)��
  6. 其他需要高效率功率開關(guān)的場合�

替代型號

PN6780HSPEC-R1, IRF6780, FDP6780

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