PQ025ENAHZPH是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專(zhuān)為高�、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的增�(qiáng)型GaN FET工藝,具備極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)能效并減小整體解決方案尺��
這款晶體管適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、快充適配器以及其他需要高頻開(kāi)�(guān)操作的場(chǎng)�。其封裝形式�(yōu)化了熱性能和電氣連接,使其在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�70nC
輸入電容�1200pF
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(GaN特性)
工作溫度范圍�-40℃至+125�
PQ025ENAHZPH具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)損�,支持高�(dá)幾兆赫茲的工作頻��
3. 集成了內(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),提升了系統(tǒng)的可靠性�
4. 采用GaN技�(shù),消除了傳統(tǒng)硅基MOSFET中的反向恢復(fù)�(wèn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型�(yīng)用布局�
6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下保持高性能表現(xiàn)�
PQ025ENAHZPH廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)電子中的快充適配�,可�(shí)�(xiàn)高效率的小型化設(shè)�(jì)�
2. �(shù)�(jù)中心電源模塊,滿(mǎn)足對(duì)高功率密度和高效率的需��
3. 新能源汽�(chē)中的�(chē)載充電器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)�(shè)備中的高頻逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)控制��
5. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng),提供高效的能量�(zhuǎn)換解決方��
PQ025ENAIZPH, PQ025ENBHZPH