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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PQ025ENAHZPH

PQ025ENAHZPH 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 10:20:09 查看 閱讀�11

PQ025ENAHZPH是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專(zhuān)為高�、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的增�(qiáng)型GaN FET工藝,具備極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)能效并減小整體解決方案尺��
  這款晶體管適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、快充適配器以及其他需要高頻開(kāi)�(guān)操作的場(chǎng)�。其封裝形式�(yōu)化了熱性能和電氣連接,使其在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:30mΩ
  柵極電荷�70nC
  輸入電容�1200pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(GaN特性)
  工作溫度范圍�-40℃至+125�

特�

PQ025ENAHZPH具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)損�,支持高�(dá)幾兆赫茲的工作頻��
  3. 集成了內(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),提升了系統(tǒng)的可靠性�
  4. 采用GaN技�(shù),消除了傳統(tǒng)硅基MOSFET中的反向恢復(fù)�(wèn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型�(yīng)用布局�
  6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下保持高性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

PQ025ENAHZPH廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)電子中的快充適配�,可�(shí)�(xiàn)高效率的小型化設(shè)�(jì)�
  2. �(shù)�(jù)中心電源模塊,滿(mǎn)足對(duì)高功率密度和高效率的需��
  3. 新能源汽�(chē)中的�(chē)載充電器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的高頻逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)控制��
  5. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng),提供高效的能量�(zhuǎn)換解決方��

替代型號(hào)

PQ025ENAIZPH, PQ025ENBHZPH

pq025enahzph推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

pq025enahzph參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列*
  • 包裝散裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 輸出配置-
  • 輸出�(lèi)�-
  • �(wěn)壓器�(shù)-
  • 電壓 - 輸入(最大值)-
  • 電壓 - 輸出(最小�/固定�-
  • 電壓 - 輸出(最大值)-
  • 電壓降(最大值)-
  • 電流 - 輸出-
  • 電流 - 靜態(tài) (Iq)-
  • 電流 - 供電(最大值)-
  • PSRR-
  • 控制特�-
  • 保護(hù)功能-
  • 工作溫度-
  • 安裝�(lèi)�-
  • 封裝/外殼-
  • 供應(yīng)商器件封�-