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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PSMN1R7-30YL,115

PSMN1R7-30YL,115 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 13:32:09 查看 閱讀�34

PSMN1R7-30YL,115 是一款來� NXP(恩智浦)的功率 MOSFET,采� Trench 技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域�
  該型�(hào)屬于 PSMN 系列,適用于需要高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�115A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.7mΩ
  柵極電荷(典型值)�49nC
  總功耗:26W
  �(jié)溫范圍:-55� � 175�

特�

PSMN1R7-30YL,115 具有非常低的�(dǎo)通電� (RDS(on)),這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
  同時(shí),該器件具備較高的雪崩能力和熱穩(wěn)定�,能夠在惡劣�(huán)境下保持可靠工作�
  此外,其快速開�(guān)特性和較低的柵極電荷有助于減少開關(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
  封裝形式� LFPAK88-8,這是一種節(jié)省空間且散熱性能良好的表面貼裝封��

�(yīng)�

該功� MOSFET 適合多種工業(yè)與消�(fèi)電子�(lǐng)�,例如:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
  2. 直流�(wú)刷電�(jī) (BLDC) �(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
  3. 電信�(shè)備中的負(fù)載切換功��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥�(qū)�(dòng)�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�

替代型號(hào)

PSMN1R0-30YL,IRL3803TRPBF,AON6218

psmn1r7-30yl,115推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

psmn1r7-30yl,115參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�LFPAK Trench 6 MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 毫歐 @ 15A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.15V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs77.9nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5057pF @ 12V
  • 功率 - 最�109W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-100,SOT-669�4-LFPAK
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�LFPAK,Power-SO8
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱568-4678-6