PSMN1R7-30YL,115 是一款來� NXP(恩智浦)的功率 MOSFET,采� Trench 技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域�
該型�(hào)屬于 PSMN 系列,適用于需要高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�115A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.7mΩ
柵極電荷(典型值)�49nC
總功耗:26W
�(jié)溫范圍:-55� � 175�
PSMN1R7-30YL,115 具有非常低的�(dǎo)通電� (RDS(on)),這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
同時(shí),該器件具備較高的雪崩能力和熱穩(wěn)定�,能夠在惡劣�(huán)境下保持可靠工作�
此外,其快速開�(guān)特性和較低的柵極電荷有助于減少開關(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
封裝形式� LFPAK88-8,這是一種節(jié)省空間且散熱性能良好的表面貼裝封��
該功� MOSFET 適合多種工業(yè)與消�(fèi)電子�(lǐng)�,例如:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
2. 直流�(wú)刷電�(jī) (BLDC) �(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
3. 電信�(shè)備中的負(fù)載切換功��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥�(qū)�(dòng)�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
PSMN1R0-30YL,IRL3803TRPBF,AON6218