PSMN2R0-30YLDX是一款N溝道增強型功率MOSFET,由Nexperia(原飛利浦半導體)生甀該器件采用LFPAK88封裝形式,具有低導通電阻和高效率的特�,適用于多種開關應用場合,如DC-DC轉換�、負載開關、電機驅動以及電源管理等�
這款MOSFET在導通狀�(tài)下能夠提供極低的電阻值,從而減少能量損耗并提升系統效率。同�,其�(yōu)化的封裝設計確保了良好的散熱性能和可靠��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�61A
導通電阻:2mΩ
柵極電荷�45nC
總電容:370pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
PSMN2R0-30YLDX擁有非常低的導通電�,這使其非常適合需要高效能和低功耗的應用場景。此�,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐受短路的能��
它的LFPAK88封裝是一種表面貼裝技�,支持自動化裝配流程,同時也保證了較低的寄生電感,這對于高頻開關應用非常重��
另外,此器件的工作結溫范圍寬�,從-55℃到175�,這意味著它能夠在極端�(huán)境條件下正常運行,進一步提高了系統的可靠性和耐用��
該芯片主要應用于汽車電子領域中的各種電源管理方案,例如電池管理系�、啟動停止系�、DC-DC轉換器以及LED驅動��
除此之外,它也適合工�(yè)控制設備中的負載切換、電機控制以及其他需要高性能功率開關的應用場��
由于其低導通電阻和高效的特�,PSMN2R0-30YLDX還可以用于消費類電子產品中的適配�、充電器以及計算機外圍設備等領域�
PSMN2R0-30YLHX, PSMN2R5-30YLDX, PSMN2R9-30YLD