PSMN2R8-80BS 是一� N 溝道功率 MOSFET,由 NXP(恩智浦)生�(chǎn)。該器件采用 DPAK 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻開�(guān)�(huán)境下的性能表現(xiàn),并且具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
這款 MOSFET 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)�。它能夠承受較高的電壓和電流,同�(shí)保持較低的功�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�118A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�46nC(典型值)
總電容:3590pF(輸入電� Ciss�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:DPAK(TO-252�
PSMN2R8-80BS 提供了非常低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提高效率。同�(shí),它的高電流處理能力和快速開�(guān)特性使其非常適合用于高性能電源�(zhuǎn)換電路中�
此外,該器件具備良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下持續(xù)�(yùn)�。NXP 的制造工藝確保了該芯片的可靠性和一致�,減少了失效�(fēng)�(xiǎn)�
PSMN2R8-80BS 的低寄生電感和電容設(shè)�(jì)也�(jìn)一步提升了開關(guān)性能,降低了電磁干擾(EMI)。這些特點(diǎn)使得該器件成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
PSMN2R8-80BS 廣泛�(yīng)用于各類工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)�。具體應(yīng)用包括但不限于以下:
- 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流�
- DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
- 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
- 筆記本電腦和服務(wù)器的�(fù)載開�(guān)
- 電池保護(hù)電路和能量存�(chǔ)系統(tǒng)中的開關(guān)元件
由于其強(qiáng)大的電流承載能力與低 Rds(on),該器件特別適合需要大電流輸出的應(yīng)用場(chǎng)��
PSMN2R0-80BS, PSMN2R9-80BSE