PSMN3R5-30LL是Nexperia(前身為恩智浦半導體的一部分)生�(chǎn)的MOSFET器件。該器件屬于P溝道的功率MOSFET,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于廣泛的電源管理應�,如負載開關、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電池管理系�(tǒng)�。其設計能夠承受較高的電壓并提供高效的電流控�,同時封裝形式為LFPAK88,有助于散熱和節(jié)省PCB空間�
PSMN3R5-30LL的主要優(yōu)勢在于它的低導通電阻和快速開關性能,這使得它在需要高能效的應用中表現(xiàn)�(yōu)��
型號:PSMN3R5-30LL
類型:P溝道MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):30V
Rds(on)(導通電阻)�3.2mΩ(典型�,在Vgs=-10V時)
Id(連續(xù)漏極電流):-37A(最大��25°C�
功耗:126W
封裝:LFPAK88(Power-SO8兼容�
工作溫度范圍�-55°C�175°C
PSMN3R5-30LL是一款高性能P溝道MOSFET,具有以下主要特點:
1. 低導通電阻(Rds(on)):該器件在Vgs=-10V時的典型導通電阻僅�3.2mΩ,從而降低了傳導損耗并提高了整體效��
2. 快速開關能力:由于其優(yōu)化的柵極電荷設計,PSMN3R5-30LL能夠在高頻應用中保持高效運行�
3. 高電流處理能力:支持高達37A的連續(xù)漏極電流,確保了在大電流負載下的�(wěn)定性能�
4. 小型化與高熱效率:采用LFPAK88封裝,不僅減少了PCB占用面積,還提供了良好的散熱性能�
5. 寬溫工作范圍:可以在-55°C�175°C的溫度范圍內(nèi)可靠工作,適應各種惡劣環(huán)境條��
6. 符合RoHS標準:環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
PSMN3R5-30LL適用于多種電力電子應用,包括但不限于�
1. 負載開關:用于動�(tài)地接通或斷開電路中的不同負載�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為功率開�,實�(xiàn)電壓�(zhuǎn)換功能�
3. 電機�(qū)動:控制小型直流電機的啟�、停止及速度�(diào)節(jié)�
4. 電池保護電路:防止過�、過放以及其他異常情況對電池組造成損害�
5. 便攜式設備中的電源管理:例如筆記本電腦適配器、智能手機充電器等�
6. 汽車電子系統(tǒng):如車身控制模塊、電動助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)等需要高可靠性組件的應用場景�
PSMN2R5-30YL, PSMN2R8-30PL