PTEA420025是一款高性能的功率MOSFET晶體管,采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)計(jì)。它適用于高效率電源轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻工作條件下保持較高的能效,并具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性。PTEA420025常用于工業(yè)、汽車及消費(fèi)電子領(lǐng)域中的DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等電路。
這款MOSFET通過(guò)優(yōu)化的制造工藝實(shí)現(xiàn)了較低的開(kāi)關(guān)損耗和極佳的動(dòng)態(tài)性能。其封裝形式通常為TO-220或DPAK,能夠提供高效的散熱能力以滿足高功率需求。
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:25A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
總功耗:175W
結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
柵極電荷:90nC
輸入電容:2200pF
輸出電容:1300pF
PTEA420025的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。這使得器件在高頻工作時(shí)仍能保持較低的傳導(dǎo)損耗。此外,其出色的熱穩(wěn)定性允許在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
該器件還具備快速開(kāi)關(guān)速度,從而減少開(kāi)關(guān)損耗并提高整體效率。同時(shí),內(nèi)置的ESD保護(hù)提高了抗靜電能力,增強(qiáng)了可靠性。
PTEA420025的緊湊型封裝也使其適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景,同時(shí)保持優(yōu)秀的散熱性能。
PTEA420025廣泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制電路中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC轉(zhuǎn)換器:用作主功率開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)高效電壓調(diào)節(jié)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)或其他類型電機(jī)的控制。
3. 負(fù)載開(kāi)關(guān):快速開(kāi)啟和關(guān)閉負(fù)載,節(jié)省系統(tǒng)功耗。
4. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):在AC-DC適配器和充電器中作為功率級(jí)元件。
5. 汽車電子:適用于車載逆變器、LED驅(qū)動(dòng)器以及其他需要大電流切換的場(chǎng)合。
IRFZ44N
STP25NF06L
FDP5580
IXFN25N10T2