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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PTEA420025

PTEA420025 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 0:26:07 查看 閱讀�21

PTEA420025是一款高性能的功率MOSFET晶體�,采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì)。它適用于高效率電源�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)�(yīng)用領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻工作條件下保持較高的能效,并具備良好的熱�(wěn)定性和耐用�。PTEA420025常用于工�(yè)、汽車及消費(fèi)電子�(lǐng)域中的DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等電��
  這款MOSFET通過(guò)�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了較低的�(kāi)�(guān)損耗和極佳的動(dòng)�(tài)性能。其封裝形式通常為TO-220或DPAK,能夠提供高效的散熱能力以滿足高功率需��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  總功耗:175W
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�
  柵極電荷�90nC
  輸入電容�2200pF
  輸出電容�1300pF

特�

PTEA420025的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力。這使得器件在高頻工作�(shí)仍能保持較低的傳�(dǎo)損�。此�,其出色的熱�(wěn)定性允許在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
  該器件還具備快速開(kāi)�(guān)速度,從而減少開(kāi)�(guān)損耗并提高整體效率。同�(shí),內(nèi)置的ESD保護(hù)提高了抗靜電能力,增�(qiáng)了可靠��
  PTEA420025的緊湊型封裝也使其適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)保持�(yōu)秀的散熱性能�

�(yīng)�

PTEA420025廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制電路�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器:用作主功率�(kāi)�(guān),實(shí)�(xiàn)高效電壓�(diào)節(jié)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)或其他類型電機(jī)的控��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān):快速開(kāi)啟和�(guān)閉負(fù)�,節(jié)省系�(tǒng)功耗�
  4. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):在AC-DC適配器和充電器中作為功率�(jí)元件�
  5. 汽車電子:適用于車載逆變�、LED�(qū)�(dòng)器以及其他需要大電流切換的場(chǎng)合�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP25NF06L
  FDP5580
  IXFN25N10T2

ptea420025推薦供應(yīng)� 更多>

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