PTR08100W是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件廣泛應(yīng)用于各種電源管理領(lǐng)域,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源以及電機(jī)驅(qū)動等。其封裝形式通常為TO-220,便于散熱和安裝。
該功率MOSFET主要適用于中高壓應(yīng)用場合,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:8A
導(dǎo)通電阻:6.5mΩ
柵極電荷:35nC
開關(guān)速度:10ns
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提升整體效率。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長期可靠運(yùn)行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的抗靜電能力。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. 各類DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級控制。
4. 負(fù)載切換與保護(hù)電路。
5. 充電器及適配器的設(shè)計(jì)。
IRFZ44N
STP80NF10
FDP016N10S