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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > PTVSHC3D4V5B

PTVSHC3D4V5B 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 12:04:08 查看 閱讀�22

PTVSHC3D4V5B 是一款基于超�(jié)技�(shù)的高� MOSFET,屬于英飛凌(Infineon)推出的 PTV 系列。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛應用于開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域。其設計�(yōu)化了導通電阻和開關性能,在高效率和高頻率應用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:450V
  連續(xù)漏極電流�3.7A
  導通電阻:0.95Ω
  柵極電荷�18nC
  總電容:1150pF
  最大工作溫度范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3

特�

PTVSHC3D4V5B 的核心特點是采用了先進的超結(jié)技�(shù),這種技�(shù)大幅降低了導通電阻,同時提高了器件的熱穩(wěn)定性和可靠��
  該器件具有較低的柵極電荷,這使得其開關速度更快,并且能夠有效降低開關損��
  此外,它具備出色的熱性能,允許在更高的環(huán)境溫度下運行,適合工�(yè)和汽車級應用�
  由于其高擊穿電壓和低導通電阻的組合,這款 MOSFET 在高頻開關應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率�

應用

PTVSHC3D4V5B 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動控�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率開�
  6. 汽車電子中的負載開關
  其高壓特性和低導通電阻使其成為上述應用場景的理想選擇�

替代型號

PTVSHC3D5K, PTVSC3D4V5B

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