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PTVSHC3D4V5B 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 12:04:08 查看 閱讀:22

PTVSHC3D4V5B 是一款基于超結(jié)技術(shù)的高壓 MOSFET,屬于英飛凌(Infineon)推出的 PTV 系列。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域。其設計優(yōu)化了導通電阻和開關性能,在高效率和高頻率應用中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓:450V
  連續(xù)漏極電流:3.7A
  導通電阻:0.95Ω
  柵極電荷:18nC
  總電容:1150pF
  最大工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-263-3

特性

PTVSHC3D4V5B 的核心特點是采用了先進的超結(jié)技術(shù),這種技術(shù)大幅降低了導通電阻,同時提高了器件的熱穩(wěn)定性和可靠性。
  該器件具有較低的柵極電荷,這使得其開關速度更快,并且能夠有效降低開關損耗。
  此外,它具備出色的熱性能,允許在更高的環(huán)境溫度下運行,適合工業(yè)和汽車級應用。
  由于其高擊穿電壓和低導通電阻的組合,這款 MOSFET 在高頻開關應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率。

應用

PTVSHC3D4V5B 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電機驅(qū)動控制
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率開關
  6. 汽車電子中的負載開關
  其高壓特性和低導通電阻使其成為上述應用場景的理想選擇。

替代型號

PTVSHC3D5K, PTVSC3D4V5B

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