時間：2025/5/8 12:04:08
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PTVSHC3D4V5B 是一款基于超結(jié)技術(shù)的高壓 MOSFET，屬于英飛凌（Infineon）推出的 PTV 系列。該器件采用 TO-263-3 封裝形式，廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域。其設計優(yōu)化了導通電阻和開關性能，在高效率和高頻率應用中表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓：450V
連續(xù)漏極電流：3.7A
導通電阻：0.95Ω
柵極電荷：18nC
總電容：1150pF
最大工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263-3
PTVSHC3D4V5B 的核心特點是采用了先進的超結(jié)技術(shù)，這種技術(shù)大幅降低了導通電阻，同時提高了器件的熱穩(wěn)定性和可靠性。
該器件具有較低的柵極電荷，這使得其開關速度更快，并且能夠有效降低開關損耗。
此外，它具備出色的熱性能，允許在更高的環(huán)境溫度下運行，適合工業(yè)和汽車級應用。
由于其高擊穿電壓和低導通電阻的組合，這款 MOSFET 在高頻開關應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率。
PTVSHC3D4V5B 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景，包括但不限于以下領域：
1. 開關模式電源（SMPS）
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機驅(qū)動控制
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
5. 工業(yè)自動化設備中的功率開關
6. 汽車電子中的負載開關
其高壓特性和低導通電阻使其成為上述應用場景的理想選擇。
PTVSHC3D5K, PTVSC3D4V5B
