PTVSHC3N24VU 是一� N 灃道溝增�(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的溝道技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)��
該芯片通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和電氣性能,能夠提供更高的功率密度和更小的解決方案尺寸。此�,其出色的熱性能和可靠性使其在各種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中表現(xiàn)出色�
型號(hào):PTVSHC3N24VU
類型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源電壓)�24 V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�1.7 mΩ(典型�,@ VGS=10V�
IDS(連續(xù)漏極電流):168 A
PD(總功耗)�135 W
VGS(柵源電壓):�20 V
f(工作頻率):支持高頻操�
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
PTVSHC3N24VU 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),可有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,最大支� 168A 的連續(xù)漏極電流,滿足高功率�(yīng)用需��
3. 采用 TO-Leadless 封裝,具備出色的散熱性能和更小的占板面積�
4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
6. 提供�(yōu)異的� ESD 性能,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行�
7. 支持高頻開關(guān)操作,適用于�(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換電��
8. �(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證流�,保證高�(zhì)量和高可靠��
PTVSHC3N24VU 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 電動(dòng)工具和其他便攜式�(shè)備的電池管理系統(tǒng)�
7. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(yīng)��
由于其高性能和可靠�,PTVSHC3N24VU 成為眾多高效率、高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��
BSC017N24NS5, IPD120N25S4L