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PTVSHC3N24VU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 12:10:44 查看 閱讀�26

PTVSHC3N24VU 是一� N 灃道溝增�(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的溝道技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)��
  該芯片通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和電氣性能,能夠提供更高的功率密度和更小的解決方案尺寸。此�,其出色的熱性能和可靠性使其在各種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

型號(hào):PTVSHC3N24VU
  類型:N 溝道 MOSFET
  VDS(漏源電壓)�24 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�1.7 mΩ(典型�,@ VGS=10V�
  IDS(連續(xù)漏極電流):168 A
  PD(總功耗)�135 W
  VGS(柵源電壓):�20 V
  f(工作頻率):支持高頻操�
  封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

PTVSHC3N24VU 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),可有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能力,最大支� 168A 的連續(xù)漏極電流,滿足高功率�(yīng)用需��
  3. 采用 TO-Leadless 封裝,具備出色的散熱性能和更小的占板面積�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 提供�(yōu)異的� ESD 性能,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行�
  7. 支持高頻開關(guān)操作,適用于�(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換電��
  8. �(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證流�,保證高�(zhì)量和高可靠��

�(yīng)�

PTVSHC3N24VU 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 電動(dòng)工具和其他便攜式�(shè)備的電池管理系統(tǒng)�
  7. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(yīng)��
  由于其高性能和可靠�,PTVSHC3N24VU 成為眾多高效率、高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

BSC017N24NS5, IPD120N25S4L

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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