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PTVSHC3N4V8UA 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:09:12 查看 閱讀�30

PTVSHC3N4V8UA 是一� N 河道垂直功率 MOSFET,采� Infineon � CoolMOS 技�(shù)。該器件�(shè)計用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)�,具有低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高能效的特�。它支持高達 400V 的漏源電�,并�(jié)合了快速開�(guān)特性和堅固的結(jié)�(gòu),適用于需要高性能和高可靠性的工業(yè)及消費類電子�(lǐng)��
  這款 MOSFET 采用� SMD 封裝,便于表面貼裝工�,同時具備卓越的熱性能,使其能夠適�(yīng)緊湊型設(shè)��

參數(shù)

型號:PTVSHC3N4V8UA
  封裝:DPAK (TO-263-3)
  Vds(漏源電壓)�400 V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�75 mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):12 A
  Qg(總柵極電荷):19 nC
  EAS(雪崩能量)�1.3 J
  fSW(最大開�(guān)頻率):500 kHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

PTVSHC3N4V8UA 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 提高了系�(tǒng)的效�,減少了功率損耗�
  2. 高速開�(guān)能力使得其非常適合高頻應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
  3. 出色的熱性能和高�(jié)溫能力(最高可� 175°C�,確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定運行�
  4. �(nèi)置雪崩保護功�,增強了器件的耐用性和可靠性�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
  6. 表面貼裝封裝 (SMD),簡化了自動化生�(chǎn)流程并降低了制造成��
  7. �(jié)� CoolMOS 技�(shù),提供更高的功率密度和更小的解決方案尺寸�

�(yīng)�

PTVSHC3N4V8UA 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中,提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  2. 電機�(qū)動:控制直流無刷電機 (BLDC) 或步進電機的速度和方��
  3. 負載開關(guān):實�(xiàn)對不同負載的安全切換,避免過流或短路損害�
  4. 工業(yè)逆變器:在太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中作為關(guān)鍵組��
  5. 汽車電子:如車載充電�、LED 照明�(qū)動和車身控制模塊�
  6. 家用電器:空�(diào)、洗衣機、冰箱等�(shè)備中的電源管理部分�

替代型號

IPD060N04S4L, PTVHR10N4V8, IRFP4468

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