PUMH11是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動等電力電子領域。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
作為N溝道增強型MOSFET,PUMH11特別適合在高頻應用中使用。其出色的熱性能和電氣特性使其成為許多高要求應用的理想選��
型號:PUMH11
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�18A
導通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
總功�(Ptot)�15W
結溫范圍(Tj)�-55℃至+175�
PUMH11具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,支持高頻操作,減少磁性元件體��
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內可靠工作�
4. 強大的雪崩能量承受能�,增強了器件封裝設計,節(jié)省電路板空間�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�
PUMH11適用于多種電力電子應用場�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器的核心功率器件�
3. 電機驅動控制中的功率級開��
4. 汽車電子中的負載開關和保護電��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
6. 充電器和適配器中的同步整流功能實��
PUMH10, PUMH12, IRF540N, FDP17N06