時(shí)間：2025/5/24 9:53:10
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PVG3A201C01R00 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。該器件通常用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載切換等場景。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提高效率，同時(shí)支持高頻操作以減少磁性元件體積。
型號(hào)：PVG3A201C01R00
類型：N 溝道 MOSFET
最大漏源電壓 (Vds)：100 V
最大柵源電壓 (Vgs)：±20 V
持續(xù)漏極電流 (Id)：3.6 A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：15 mΩ (典型值，在 Vgs=10V 時(shí))
總柵極電荷 (Qg)：12 nC
輸入電容 (Ciss)：480 pF
輸出電容 (Coss)：100 pF
反向傳輸電容 (Crss)：30 pF
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：SOT-23
PVG3A201C01R00 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于降低導(dǎo)通損耗，從而提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用，可有效減小外部無源元件的尺寸。
3. 高浪涌能力，能承受較大的瞬 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持一致的性能。
5. 小型化封裝 SOT-23，節(jié)省 PCB 空間，非常適合空間受限的設(shè)計(jì)。
6. 支持高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)，靈活適用于各種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于焊接加工。
PVG3A201C01R00 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率級(jí)開關(guān)。
2. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，包括降壓、升壓及升降壓拓?fù)洹?br> 3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)和步進(jìn)電機(jī)控制。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與功率放大。
7. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品的功率管理模塊。
PVG3A200C01R00
PVG3A201C01K00
NTMFS4839NL
IRLML6402TRPBF
