PVG5H202C03R00 是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù),能夠提供卓越的開關(guān)性能和較低的功耗,非常適合于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
這款芯片屬于 N 漚道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了 RDS(on)(導(dǎo)通電阻)與柵極電荷之間的平衡,從而實(shí)�(xiàn)更高的效率和更小的熱損��
型號:PVG5H202C03R00
類型:N-Channel MOSFET
漏源電壓 (Vds)�60V
柵源電壓 (Vgs):�20V
連續(xù)漏電� (Id)�147A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�2.8mΩ (典型值,@Vgs=10V)
總柵極電� (Qg)�128nC
輸入電容 (Ciss)�4790pF
輸出電容 (Coss)�111pF
反向恢復(fù)�(shí)� (trr)�28ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
PVG5H202C03R00 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在高電流應(yīng)用中顯著降低功耗�
2. 高額定電流能� (Id),支持大功率�(yīng)用�
3. 快速開�(guān)速度,有效減少開�(guān)損��
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持可靠�(yùn)行�
5. 小型化封�,便于節(jié)省PCB空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品�
7. 提供�(qiáng)大的短路保護(hù)功能,確保設(shè)備在異常情況下的安全��
8. 改�(jìn)的雪崩能量耐受能力,提高系�(tǒng)可靠性�
PVG5H202C03R00 適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和功率傳輸�
3. 電動工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)動電��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 新能源汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)�
6. 大功� LED �(qū)動器,用于照明解決方��
7. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源和其他高性能�(jì)算設(shè)備中的功率管理模塊�
8. 充電器及適配器中的功率級元件�
由于其優(yōu)異的電氣性能和可靠�,PVG5H202C03R00 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
PVG5H202C03R01, PVG5H202C03R02, IRF540N