PVI1050N是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和信號切換等領�。它屬于N溝道增強型功率MOSFET,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠有效減少功耗并提高效率�
該器件采用TO-220封裝形式,適合高電流和高電壓的應用場�。其�(yōu)異的電氣性能和散熱設計使其成為工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�4mΩ
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-220
PVI1050N的主要特點是低導通電阻,這有助于降低傳導損�,提升整體系�(tǒng)效率。同時,其具備出色的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的性能輸出�
此外,該器件的快速開關速度可減少開關損�,適用于高頻應用場合。它的高電流承載能力和堅固耐用的設計使其非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的應用場景�
PVI1050N還具有較高的雪崩擊穿能量吸收能力,增強了器件在異常情況下的可靠�。結合其較低的輸入電容,可以實現(xiàn)更快的開關操作并降低電磁干擾(EMI��
PVI1050N主要應用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開關電源(SMPS)、電機控�、負載開關以及電池保護電路中�
在汽車電子領�,它可以用于啟動馬達控制、發(fā)電機�(diào)節(jié)等任務。此�,這款MOSFET也常被用作音頻放大器中的開關元件或功率級組件。其強大的電流處理能力和高耐壓特點使得它非常適用于各類工業(yè)自動化設備中的電力傳動系�(tǒng)�
總之,任何需要高效能功率�(zhuǎn)換與控制的地方都可以考慮使用PVI1050N�
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5800