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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > PZM9.1NB2

PZM9.1NB2 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 16:39:45 查看 閱讀�35

PZM9.1NB2 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先進的制造工藝設(shè)�,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
  該型號通常用于電源管理�(lǐng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電機驅(qū)動器以及其他需要高效開�(guān)操作的應(yīng)用場景�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):90V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):38A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  總柵極電荷(Qg):46nC
  輸入電容(Ciss):2750pF
  輸出電容(Coss):108pF
  開關(guān)時間:ton=14ns / toff=19ns

特�

PZM9.1NB2 的主要特點是其卓越的電氣性能與可靠�。它采用了最新的半導體技�(shù),以實現(xiàn)以下�(yōu)勢:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),從而減少傳導損�,提高整體效��
  2. 快速的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損��
  3. 高擊穿電壓確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
  4. 較小的封裝尺�,適合緊湊型�(shè)計需��
  5. �(yōu)秀的熱性能,保證在高負載條件下的持�(xù)工作能力�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持長期使用�

�(yīng)�

PZM9.1NB2 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 電動車輛及工�(yè)自動化中的電機驅(qū)動控制�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊�
  4. LED 照明�(qū)動電路中的高效開�(guān)器件�
  5. 電池充電管理系統(tǒng)中的充放電路徑管��
  6. 各種高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器中的核心組件�

替代型號

PZM9.1NB2L, IRFZ44N, FDP55N06

pzm9.1nb2推薦供應(yīng)� 更多>

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