Q3236I-20N是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關應用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于需要高效能和可靠性的電子電路中。
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,通常用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開關等場景。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:20A
導通電阻:2.5mΩ
總功耗:140W
工作結(jié)溫范圍:-55℃ to 175℃
Q3236I-20N具備以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻,可顯著降低傳導損耗,提升效率。
2. 快速開關能力,適合高頻應用環(huán)境。
3. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全。
這款MOSFET廣泛應用于各類功率電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關
5. 工業(yè)自動化控制中的電機驅(qū)動
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800