時間：2025/5/19 16:20:00
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Q3236I-20N是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關應用。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于需要高效能和可靠性的電子電路中。
該型號屬于N溝道增強型MOSFET，通常用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開關等場景。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：20A
導通電阻：2.5mΩ
總功耗：140W
工作結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃
Q3236I-20N具備以下關鍵特性：
1. 極低的導通電阻，可顯著降低傳導損耗，提升效率。
2. 快速開關能力，適合高頻應用環(huán)境。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 小尺寸封裝，節(jié)省PCB空間。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且安全。
這款MOSFET廣泛應用于各類功率電子設備中，包括但不限于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關
5. 工業(yè)自動化控制中的電機驅(qū)動
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800
