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QFE-2101-0-15BWLNSP-TR-70-0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 11:05:50 查看 閱讀：12

QFE-2101-0-15BWLNSP-TR-70-0 是一款高性能的 GaN（氮化鎵）功率晶體管，采用增強(qiáng)型 HEMT（高電子遷移率晶體管）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該器件專為高頻、高效應(yīng)用而優(yōu)化，適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和射頻功率放大器等領(lǐng)域。其封裝形式為表面貼裝類型，具有低寄生電感和良好的散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：15A
　　導(dǎo)通電阻：70mΩ
　　柵極電荷：80nC
　　開關(guān)頻率：超過(guò) 3MHz
　　封裝類型：WLCSP (晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

該器件采用了先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的效率和更快的開關(guān)速度。
　　1. 高擊穿電壓：支持高達(dá) 650V 的漏源電壓，適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：僅為 70mΩ，在大電流條件下減少功耗。
　　3. 快速開關(guān)性能：開關(guān)頻率可達(dá) 3MHz 以上，適合高頻應(yīng)用。
　　4. 小型化封裝：WLCSP 封裝有助于節(jié)省 PCB 空間，并降低寄生效應(yīng)。
　　5. 寬溫范圍：能夠在極端溫度環(huán)境下可靠運(yùn)行，適應(yīng)工業(yè)和汽車領(lǐng)域的需求。
　　6. 集成保護(hù)功能：內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

應(yīng)用

這款 GaN 功率晶體管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源：如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，提升功率密度和效率。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于高效電機(jī)控制，特別適合電動(dòng)車和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。
　　3. 射頻功率放大器：滿足無(wú)線通信基站等高頻高功率場(chǎng)景需求。
　　4. 充電器與適配器：支持快速充電方案，減小體積并提高轉(zhuǎn)換效率。
　　5. 太陽(yáng)能逆變器：優(yōu)化光伏系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換效率。

替代型號(hào)

QFE-2101-0-10BWLNSP-TR-50-0
　　QFE-2102-0-15BWLNSP-TR-70-0
　　GAN042-650WSA

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