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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > QM09N50F

QM09N50F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:47:17 查看 閱讀�23

QM09N50F是一款基于硅技�(shù)制造的MOSFET功率晶體管,主要用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�,適用于各種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
  該芯片采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì),工作電壓范圍廣,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需求。此�,其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻:0.22Ω
  柵極電荷�36nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=47ns,toff=85ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

QM09N50F具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力�500V的最大漏源電壓使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:0.22Ω的典型導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,提升效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較小的柵極電荷和短�(kāi)�(guān)�(shí)間使其在高頻電路中表�(xiàn)出色�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在-55℃至150℃的寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝形式�(jiǎn)化了PCB布局,并節(jié)省了安裝空間�
  6. 可靠性高:通過(guò)多項(xiàng)�(zhì)量測(cè)�,確保在�(zhǎng)�(shí)間使用中的穩(wěn)定性和耐用��

�(yīng)�

QM09N50F廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于家用電�、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)控制�
  3. 能量管理:包括太�(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  4. PFC(功率因數(shù)校正)電路:提高用電設(shè)備的效率并減少諧波污��
  5. 固態(tài)繼電器:作為傳統(tǒng)�(jī)械繼電器的替代品,提供更快的響應(yīng)速度和更�(zhǎng)的使用壽��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP12NK50Z
  FDP15N50

qm09n50f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)