QM09N50F是一款基于硅技�(shù)制造的MOSFET功率晶體管,主要用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�,適用于各種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
該芯片采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì),工作電壓范圍廣,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需求。此�,其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:0.22Ω
柵極電荷�36nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=47ns,toff=85ns
�(jié)溫范圍:-55℃至150�
QM09N50F具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力�500V的最大漏源電壓使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:0.22Ω的典型導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,提升效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較小的柵極電荷和短�(kāi)�(guān)�(shí)間使其在高頻電路中表�(xiàn)出色�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在-55℃至150℃的寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝形式�(jiǎn)化了PCB布局,并節(jié)省了安裝空間�
6. 可靠性高:通過(guò)多項(xiàng)�(zhì)量測(cè)�,確保在�(zhǎng)�(shí)間使用中的穩(wěn)定性和耐用��
QM09N50F廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于家用電�、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)控制�
3. 能量管理:包括太�(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
4. PFC(功率因數(shù)校正)電路:提高用電設(shè)備的效率并減少諧波污��
5. 固態(tài)繼電器:作為傳統(tǒng)�(jī)械繼電器的替代品,提供更快的響應(yīng)速度和更�(zhǎng)的使用壽��
IRF540N
STP12NK50Z
FDP15N50