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QM22645TR13 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:56:15 查看 閱讀�25

QM22645TR13 是一款高性能的功� MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。該器件適用于多種電源管理應(yīng)用場�,包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等場景。其封裝形式� TO-263,能夠提供優(yōu)異的散熱性能以滿足高功率密度需��
  QM22645TR13 的設(shè)�(jì)使其能夠在高頻開�(guān)條件下保持高效運(yùn)�,并且具備出色的抗浪涌能力和�(wěn)定�,非常適合工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域的�(yán)苛應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�45A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�80nC
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263

特�

QM22645TR13 擁有卓越的電氣特性和�(jī)械性能,主要體�(xiàn)在以下幾�(gè)方面�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流應(yīng)用中可顯著降低功耗并提升效率�
  2. 快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻開�(guān)模式電源(SMPS) 和同步整流電��
  3. �(qiáng)大的過載保護(hù)功能和高耐壓等級確保了設(shè)備在惡劣�(huán)境下的可靠��
  4. 緊湊型封裝與高效的散熱設(shè)�(jì)相結(jié)�,為緊湊型設(shè)�(jì)提供了便��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品之��

�(yīng)�

QM22645TR13 廣泛�(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)�,具體包括但不限于以下幾種:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配�、充電器和分布式電源系統(tǒng)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動和逆變器模��
  3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 高效 LED �(qū)動器和其他需要大電流輸出的應(yīng)用場��

替代型號

IRFZ44N, FDP5570N

qm22645tr13推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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