QM25005ATR13-5K 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯�,專為高頻率、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)� GaN 工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,廣泛�(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、LED �(qū)�(dòng)器以及高頻逆變器等�(lǐng)��
該型�(hào)中的�5K”通常表示其額定電流或電壓范圍的具體參�(shù)值,適用于工�(yè)�(jí)或汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)�,能夠承受較寬的工作溫度范圍以及更高的電磁干擾要��
類型:GaN 功率晶體�
封裝:TO-263 (D2PAK)
額定電壓�650V
額定電流�5A
�(dǎo)通電阻:13mΩ
最大工作溫度:-40°C � +150°C
柵極�(qū)�(dòng)電壓�6V/10V
開關(guān)頻率:支持高�(dá) 5MHz
封裝尺寸�7.8mm x 6.5mm x 1.2mm
QM25005ATR13-5K 的主要特性包括:
1. 采用氮化鎵技�(shù),提供卓越的高頻性能和效率優(yōu)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(13mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 支持高達(dá) 5MHz 的開�(guān)頻率,使�(shè)�(jì)者能夠使用更小的磁性元�,從而減小整體解決方案的尺寸�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并滿足 AEC-Q101 汽車�(jí)�(rèn)證要�,確保其在惡劣條件下的穩(wěn)定��
6. 可直接替代傳�(tǒng)的硅� MOSFET,在高頻�(yīng)用場(chǎng)景中顯著提升性能�
QM25005ATR13-5K 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的供電模塊�
2. 快速充電器:支� USB-PD �(xié)議的充電器設(shè)�(jì),提供更快的充電速度和更高的效率�
3. LED �(qū)�(dòng)器:用于高亮� LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路,實(shí)�(xiàn)精確的電流控��
4. �(wú)線電源:用于高頻�(wú)線充電模塊,支持更高功率的傳輸需��
5. 工業(yè)自動(dòng)化:如電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)�,提升功率密度和效率�
QM25005BTR13-5K, IRG4PH48UPBF, FDP15AH065ZP