時間�2025/4/30 15:47:29
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QM2580R4是一種高性能的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等場景。該器件采用先進的制造工�，具備低導通電阻和高開關速度的特�，能夠在高頻應用中提供出色的效率表現(xiàn)�
QM2580R4屬于N溝道增強型MOSFET，其設計�(yōu)化了功率轉換系統(tǒng)的性能，同時通過降低功耗提高了整體系統(tǒng)的可靠�。其封裝形式通常為TO-220或SMD，便于在各種電路板上安裝和散��
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻：1.5mΩ
總柵極電荷：35nC
輸入電容�1500pF
工作結溫范圍�-55℃至175�
QM2580R4的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（1.5mΩ�，有效降低了導通損��
2. 高速開關能力，適合高頻應用場景�
3. 較大的漏極電流承載能力（30A�，確保在大電流條件下�(wěn)定運行�
4. 寬廣的工作溫度范圍（-55℃至175℃），適應多種環(huán)境條件�
5. 具備強大的抗靜電能力（ESD�，增強了器件的可靠��
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛設計�
QM2580R4適用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整��
2. DC-DC轉換器中的功率開關�
3. 電機驅動電路中的功率級控��
4. 負載開關和保護電��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)（BMS��
IRF2807,
STP30NF06,
FDP30N06L
