QMK316BJ333ML-T 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率晶體管,專為高頻開關應用而設�。該器件采用增強� GaN 場效應晶體管(e-mode HEMT)結�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少體積和重量。其封裝形式為緊湊型表面貼裝器件,適合用于電源管理、DC-DC轉換�、逆變器等應用場景�
由于 GaN 技術的固有�(yōu)�,QMK316BJ333ML-T 在高頻和高壓�(huán)境下表現出優(yōu)異的性能,同時支持快速開關速度和低導通電阻特��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�33A
導通電阻:33mΩ
柵極閾值電壓:1.8V~4.0V
輸入電容�1200pF
反向傳輸電容�25pF
開關頻率:最高可� 5MHz
工作溫度范圍�-40℃~+150�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在高電流條件下仍能保持高效運行�
2. 支持高頻操作,能夠實現更小尺寸的磁性元件和電容器設計�
3. 具備更高的功率密度和熱效�,適應高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運��
4. 內置 ESD 保護電路,增強了芯片的可靠��
5. 超快的開關速度減少了開關損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封裝工藝�
7. 表面貼裝封裝,便于自動化生產和批量制��
1. 高效 DC-DC 轉換器�
2. 服務器和通信設備中的電源模塊�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 電動車車載充電器(OBC)與 DC-DC 轉換��
5. 快速充電適配器� USB-PD 控制��
6. 工業(yè)電機驅動與高頻開關電��
7. 高頻諧振拓撲結構� LLC � CLLC 變換��
QMK316AJ333ML-T, QMK316CJ333ML-T