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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > QN4102M6N

QN4102M6N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 19:16:16 查看 閱讀�32

QN4102M6N是一款高性能的MOSFET功率晶體�,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和性能�
  QN4102M6N屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)適用于高頻率和高電流的應(yīng)用場(chǎng)�,廣泛用于工�(yè)、消�(fèi)�(lèi)電子及汽�(chē)電子�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�2A
  �(dǎo)通電阻:7.5mΩ
  柵極電荷�3.5nC
  總電容:130pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

QN4102M6N具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在特定條件下僅�7.5mΩ,從而減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻應(yīng)��
  3. 高度可靠的電氣性能,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工��
  4. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型電路板布局�
  5. �(nèi)部集成ESD保護(hù),提高了器件的抗靜電能力�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

QN4102M6N適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換與控��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDN340P

qn4102m6n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)