QT002206-4131-3H是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先進的半導體制造工�。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于各種電源管理應用,包括DC-DC轉換器、電機驅�、負載開關等場景。它能夠在高頻工作條件下提供高效的功率轉�,并具備出色的熱性能�
型號:QT002206-4131-3H
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�41A
導通電�(Rds(on))�3mΩ
總柵極電�(Qg)�75nC
輸入電容(Ciss)�2800pF
封裝形式:TO-247-3
QT002206-4131-3H具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻Rds(on),能夠顯著降低傳導損��
2. 高電流承載能�,支持高�41A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開關性能,適合高頻應用�
4. 具備強大的熱�(wěn)定�,可確保在高溫環(huán)境下的可靠運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于焊接�
6. 封裝堅固耐用,適應多種工�(yè)應用場景�
這些特點使得該器件非常適合用于需要高效功率轉換和�(wěn)定性能的應用中�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)設計中的功率級控制�
2. DC-DC轉換器中的同步整流或主開關元��
3. 各類電機驅動電路中的功率輸出��
4. 負載開關和保護電路的設計�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)模塊�
由于其出色的電氣性能和可靠�,QT002206-4131-3H是許多高要求功率應用的理想選��
IRFP2907
STP40NF06
FDP55N06L