R1200N003A-TR-FE是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等高效率電力轉(zhuǎn)換場�。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
該型號中的R1200表示其額定漏極電流為1200A(峰值),N代表N溝道�003表示耐壓等級�30V。后�-TR-FE通常表示特定的封裝形式和測試標準�
類型:N溝道MOSFET
最大漏極電流:1200A
漏源極擊穿電壓:30V
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
導通電阻(典型值)�1.5mΩ
總功耗:300W
工作溫度范圍�-55℃~+175�
封裝形式:TO-247
R1200N003A-TR-FE的主要特點是其卓越的電氣性能和可靠性。首�,它具備極低的導通電阻(1.5mΩ�,這有助于減少傳導損�,在大電流應用場景中尤為�(guān)�。其次,該器件擁有快速的開關(guān)速度,可有效降低開關(guān)損�,適用于高頻開關(guān)電路。此�,其高達175℃的工作溫度范圍確保了在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
該器件還采用了優(yōu)化的熱設�,結(jié)合大面積金屬散熱�,可以顯著提升散熱效�,從而延長使用壽命。同�,R1200N003A-TR-FE符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
這款功率MOSFET廣泛應用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例如不間斷電源(UPS)、電動汽車牽引逆變�、工�(yè)電機�(qū)動、太陽能逆變器以及通信電源等領(lǐng)�。由于其高電流承載能力和低損耗特�,也常用于大功率DC-DC�(zhuǎn)換器和負載切換電路中�
此外,該器件的高溫適應能力使其非常適合惡劣環(huán)境下的應�,如石油鉆探設備、航空航天電子系�(tǒng)��
R1200N003A-TR, IRF3205, FDP16N10