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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > R3111N351C-TR-F

R3111N351C-TR-F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:56:56 查看 閱讀�28

R3111N351C-TR-F 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率晶體�,專(zhuān)為高頻、高效率�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和熱管理能力,適用于電信、工�(yè)電源以及可再生能源系�(tǒng)中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
  其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)�(guò)�(yōu)化以降低�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損耗,同時(shí)支持高電流密度操�,從而提升了整體系統(tǒng)的效率與可靠性�

參數(shù)

型號(hào):R3111N351C-TR-F
  �(lèi)型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電�(Vds)�600V
  連續(xù)漏極電流(Id)�15A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�35mΩ
  柵極�(qū)�(dòng)電壓(Vgs)�-5V � +6V
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

R3111N351C-TR-F 具備以下顯著特性:
  1. 高效�(kāi)�(guān)性能:憑借低�(dǎo)通電�(35mΩ),可以有效減少導(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度:GaN 材料的應(yīng)用使器件擁有超快的開(kāi)�(guān)�(shí)間,適合高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(qiáng)大的散熱能力:通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下也能保持良好的散熱性能�
  4. 增強(qiáng)的可靠性和耐用性:即使在極端環(huán)境溫度下(-55°C � +175°C),依然能�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 減少外圍元件�(shù)量:由于�(nèi)置了保護(hù)功能,減少了外部電路�(fù)雜度,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)��

�(yīng)�

R3111N351C-TR-F 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:包括AC-DC適配�、服�(wù)器電源等�
  2. 通信�(shè)備:用于基站電源和光�(wǎng)�(luò)單元(ONU)中的高效�(zhuǎn)��
  3. 可再生能源系�(tǒng):如太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能裝置中的關(guān)鍵組��
  4. 汽車(chē)電子:電�(dòng)汽車(chē)�(chē)載充電器(OBC)及牽引逆變器�
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:快速充電器和其他需要高功率密度的產(chǎn)��

替代型號(hào)

R3111N351C-TR-E, R3111N351C-TR-D

r3111n351c-tr-f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

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