RB168MM150TR 是一款基于硅 carbide(SiC)技�(shù)的功� MOSFET 芯片,適用于高電壓和高頻�(yīng)用領(lǐng)域。該器件具有卓越的開�(guān)性能、低�(dǎo)通電阻以及出色的熱穩(wěn)定�,使其成為工�(yè)電源、太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)以及其他高效能電力電子設(shè)備的理想選擇�
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-247-3,便于散熱和安裝,同�(shí)具備較高的電流承載能��
最大漏源電壓:1500V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)頻率:高�(dá)100kHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
RB168MM150TR 提供了多種顯著的技�(shù)�(yōu)�(shì),包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),從而降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損耗�
3. 高耐壓能力,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 具備�(yōu)異的抗電磁干擾能力,適合�(fù)雜電磁環(huán)境中的應(yīng)��
5. �(nèi)置過溫保�(hù)�(jī)�,�(jìn)一步提升可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于各種高功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,例如�
1. 工業(yè)用開�(guān)電源(SMPS��
2. 太陽(yáng)能光伏逆變器�
3. 電動(dòng)車車載充電器(OBC��
4. 不間斷電源(UPS��
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電��
6. PFC(功率因�(shù)校正)模��
RB168MM1200TR, C3M0065120D, SCT20N120