RB521ZS-30T2R是一種高精度、低功耗的雙路N溝道MOSFET功率晶體�,采用小型化封裝設計。該器件主要應用于需要高效開�(guān)和低導通電阻的應用場景,例如負載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等電路��
該芯片通過�(yōu)化的制造工藝實�(xiàn)了較低的導通電阻(Rds(on))和較高的電流承載能�,同時保持了良好的熱性能。其封裝形式為SOT-23-3L,適用于空間受限的設��
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.1A
導通電�(Rds(on))�90mΩ (在Vgs=4.5V�)
柵極電荷(Qg)�7nC
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
封裝形式:SOT-23-3L
RB521ZS-30T2R具有以下主要特性:
1. 超低導通電阻以減少功率損��
2. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損��
3. 高可靠性與長壽命設��
4. 小型化封裝適合便攜式設備應用�
5. 較寬的工作溫度范圍適應多種環(huán)境需求�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材��
RB521ZS-30T2R廣泛用于以下領域�
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)�
2. 移動設備及可穿戴設備中的電源管理�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和POL�(wěn)壓模塊�
4. 小功率電機驅(qū)動控��
5. LED�(qū)動電��
6. 各種工業(yè)自動化控制電路中的信號切換功��
RB521ZS-30T2G, RB520ZS-30T2R