RD3L050SNTL1是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝。該器件適用于高效率、高速開�(guān)�(yīng)用場合,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�。其封裝形式為TO-263(DPAK),具備良好的散熱性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了動態(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平衡,從而在各種�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�34A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷(典型值)�12nC
輸入電容�1370pF
反向恢復(fù)�(shí)間:30ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切�
6. 工業(yè)自動化中的功率控制模�
7. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方�
IRL3803PBF, FDP5560, AO3400