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RF18N150F500CT 發(fā)布時間 時間�2025/3/21 15:10:46 查看 閱讀�51

RF18N150F500CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高�、高效能�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)� GaN-on-Silicon 技�(shù),能夠提供更高的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通電�,適用于射頻功率放大�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高性能的場��
  RF18N150F500CT 在封裝方面采用了符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-247 封裝,便于集成到各種功率電路中。此�,其出色的散熱性能和可靠性使得它在工�(yè)、通信和汽車領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�18A
  柵極電荷�23nC
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  開關(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

RF18N150F500CT 的主要特點是低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率,這使其能夠在高頻條件下保持高效率。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,該器件具有更小的寄生電感和電容,從而降低了開關(guān)損�。此�,GaN 材料的使用使得器件能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行,同時提供了更高的功率密度�
  這款芯片還具備快速的開關(guān)速度和較低的柵極�(qū)動需�,�(jìn)一步簡化了�(qū)動電路設(shè)計。由于其�(yōu)異的熱性能和耐用�,RF18N150F500CT 非常適合對可靠性和效率要求較高的應(yīng)用場景�

�(yīng)�

1. 射頻功率放大�,用于無線通信基站和其他射頻設(shè)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在服�(wù)器電源和電信電源中;
  3. 電動車輛 (EV) 和混合動力車� (HEV) 的車載充電器及電�(jī)控制��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的開�(guān)電源和逆變��
  5. 激光雷�(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)中的脈沖功率模塊�
  這些�(yīng)用充分利用了 RF18N150F500CT 的高頻特性和高效率優(yōu)��

替代型號

RF18N150F400CT, RF18N150F600CT

rf18n150f500ct推薦供應(yīng)� 更多>

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