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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RF4E075ATTCR

RF4E075ATTCR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:05:28 查看 閱讀�24

RF4E075ATTCR 是一款高性能的射� (RF) 功率晶體管,�(zhuān)為高頻放大應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的硅� (SiGe) 工藝制造,具有出色的增�、線性和效率表現(xiàn),適用于�(wú)線通信、雷�(dá)和其他射頻系�(tǒng)中的功率放大器模�。其高可靠性設(shè)�(jì)和卓越的電氣性能使其成為需要高輸出功率和低失真的應(yīng)用的理想選擇�
  RF4E075ATTCR 的封裝形式經(jīng)�(guò)�(yōu)�,以降低寄生效應(yīng)并增�(qiáng)散熱性能,確保在高功率操作下的穩(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

最大頻率:7.5GHz
  輸出功率�50W
  增益�12dB
  工作電壓�28V
  工作溫度范圍�-55� � +105�
  封裝形式:TO-263

特�

RF4E075ATTCR 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高頻操作能力,適合高�(dá) 7.5GHz 的應(yīng)用�
  2. 在寬泛的工作頻率范圍�(nèi)提供�(wěn)定的增益和功率輸出�
  3. 采用 TO-263 封裝,具備良好的熱傳�(dǎo)性能,有助于提高�(shè)備的可靠性和壽命�
  4. 支持高效率模�,可顯著降低功耗和熱量�(chǎn)��
  5. 線性度出色,適合對(duì)信號(hào)�(zhì)量要求較高的�(chǎng)�,如�(shù)字通信和測(cè)試測(cè)量設(shè)備�
  6. 提供了完善的保護(hù)�(jī)�,包括過(guò)溫保�(hù)和過(guò)流保�(hù)功能,以保障器件在極端條件下的安全��

�(yīng)�

RF4E075ATTCR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wú)線通信基站的射頻功率放大器�
  2. 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)通信系統(tǒng)的功率放大級(jí)�
  3. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備中的射頻信�(hào)源和功率放大器�
  4. 航空航天及國(guó)防領(lǐng)域的雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)�
  5. �(yī)療成像設(shè)備和工業(yè)加熱等非通信�(lèi)射頻能量�(yīng)用�

替代型號(hào)

RF4E075BTTCR
  RF4E080ATTCR
  RF3P25N

rf4e075attcr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rf4e075attcr資料 更多>

  • 型號(hào)
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rf4e075attcr參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,901�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �5.17000剪切帶(CT�3,000 : �1.99712卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)7.5A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)21.7 毫歐 @ 7.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1000 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�HUML2020L8
  • 封裝/外殼8-PowerUDFN