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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > RFD14N05LSM9A

RFD14N05LSM9A 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 9:31:57 查看 閱讀�26

RFD14N05LSM9A 是一� N 溝能耗型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高效率和高性能�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、負載切換等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�14A
  �(dǎo)通電阻:2.8mΩ
  柵極電荷�36nC
  開關(guān)時間:ton=13ns, toff=15ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

RFD14N05LSM9A 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的耐用性�
  4. 小型封裝�(shè)�,節(jié)� PCB 空間�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機控制與驅(qū)動電��
  3. 電池保護和負載切換�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換電��
  6. 汽車電子中的各種負載控制場景�

替代型號

RFD14N05LSM9, RFD14N05L

rfd14n05lsm9a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

rfd14n05lsm9a資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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rfd14n05lsm9a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 14A�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最�48W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252AA
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RFD14N05LSM9ATR